IT之家 7 月 4 日消息，韩国底子 科学研究院 (IBS) 的研究团队取得突破，乐成 研制出亚纳米级晶体管，逾越 了现有行业发展预期。该技能 有望引领下一代低功耗高性能电子装备 的研发。

据IT之家相识 ，半导体器件的集成度取决于栅极电极的宽度和长度。在传统的半导体制造工艺中，由于光刻分辨率的限定 ，将栅极长度镌汰 到几纳米以下是不大概 的。二维半导体二硫化钼的镜面孪晶边界 （MTB）是宽度仅为 0.4 纳米的一维金属，因此，研究职员 将其用作栅极电极，可降服 光刻工艺的限定 。

这一结果 明显 优于国际电气电子工程师学会 (IEEE) 的猜测 ，IEEE 此前发布的国际集成电路装备 和体系 蹊径 图 (IRDS) 猜测 ，到 2037 年，芯片制程工艺将到达 0.5 纳米左右，晶体管栅极长度为 12 纳米。而韩国研究职员 研发的 1D MTB 晶体管栅极长度仅为 3.9 纳米。

这项研究于 7 月 3 日发表在《天然 ・纳米技能 》杂志上，研究团队在论文中表明 说，他们通过原子级控制现有二维半导体的晶体布局 ，将其转化为一维的镜像孪生边界 (MTB) 金属相，实现了这一突破。人工控制晶体布局 来合成质料 是这项技能 进步的关键。

与传统鳍式场效应晶体管 (FinFET) 或 GAA 技能 相比，这种新型的 1D MTB 晶体管还具有固有的上风 。研究职员 表现 ，由于其简单 的布局 和极窄的栅极宽度，这种晶体管可以最大限度地镌汰 寄生电容，从而带来更高的稳固 性。

IBS 的 JO Moon-Ho 所长对该技能 的远景 表现 乐观，以为 1D MTB 晶体管有望成为将来 研发各种低功耗高性能电子装备 的关键技能 。

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